金属熱CVD装置
コールドウォール式の熱CVD装置です。最高800℃の加熱制御が行えます。
成膜基板およびその近傍を加熱する構造の為、原料を効率良く利用できます。
直感的に操作が行える手動装置の為、簡易的な実験を行う研究室、教育機関に適しています。
- ウエハサイズ 最大3インチ×1 (専用搬送トレイ)
- ロードロック式、トランスファーロッド式搬送機構
- MV仕様 (0.1Pa以下)
- コールドウォール式
コールドウォール式の熱CVD装置です。最高800℃の加熱制御が行えます。
成膜基板およびその近傍を加熱する構造の為、原料を効率良く利用できます。
直感的に操作が行える手動装置の為、簡易的な実験を行う研究室、教育機関に適しています。